授权专利：
[1]袁方利,胡鹏,范俊梅等.一种利用热等离子体制备氧化铝的方法及其产品:中国,201010578575.3.2014.4.2.
[2]范俊梅,袁方利,李晋林,胡鹏,一种高抗压低密度的空心无机氧化物微球的制备方法:中国.201010578575.3,2014.4.2.
[3]曹宏斌,张懿,李玉平等.一种化学溶涨强化机械破碎线路板的方法:中国,200710122004.7,2007-9-19.
[4]黎少华,袁方利,范俊梅等.一种废弃酚醛电路板上金属铜箔的剥离方法:中国,200710119947.4,2007-8-3.
[5]袁方利,王熙,余凌杰等.一种制备单晶空心NiO八面体的方法:中国,200710119323.2,2007-7-20..
[6]杜红初,袁方利,黄淑兰等.一种纳米氧化锌的制备方法:中国,03146588.9, 2003-7-8.
[7]袁方利,李晋林,黄淑兰. 表面包覆金属化合物的纳米氧化锌粉体及制备方法: 中国,98117464.7, 1998-9-2.
[8]李晋林,林元华,袁方利等.制备纳米级金红石型二氧化钛的方法:中国,97120161.7,1997-11-14.

受理专利：
[1]袁方利,姚明水,丁飞等.锡掺杂层状多孔纳米氧化锌及其制备方法和用途:中国,201310666389.9,2013-12-10.
[2]袁方利,白柳杨,张海宝等.一种制备表面改性的难熔金属碳化物超细粉体的方法,中国,201110198358.6,2011.7.15.
[3]白柳杨,袁方利,尹春雷.一种闭路循环生产多晶硅的工艺,中国,201110198289.9,2011.7.15.
[4]袁方利,张海宝,白柳杨等.一种球形纳米钨粉的制备方法,中国,201110180705.2,2011.6.30
[5]袁方利,胡鹏,向炜成等,多孔二氧化钛空心球、制备及用于吸附Cr（VI）的方法:中国,20111067070.2,2011.6.21.
[5]袁方利,胡鹏,张星等,一种亿铝石榴石粉体的制备方法及其反应装置:中国,201110005422.4,2011.1.6.
[6]袁方利,白柳杨,张海宝等.一种高频等离子体制备高纯超细硼化锆粉体的方法:中国,201010531763.0,2010.11.5.
[7]袁方利,曹月斌,范俊梅等.一种立方体结晶铜微粉的制备方法:中国,201010168247.6, 2010-5-10.
[8]袁方利,白柳杨,李晋林等.一种采用电弧等离子体热解废电路板的方法:中国,201010142963.7,2010-4-7.
[9]袁方利,白柳杨,胡鹏等.一种高频等离子体制备微细金属球形粉体方法:中国,200910080536.8,2009-3-20.
[10]袁方利,胡鹏,白柳杨等.一种过渡金属掺杂的纳米氧化锌晶须制备方法:中国,200910077127.2,2009-1-16.
[11]袁方利,白柳杨,黎少华等.一种制备微细球形镍粉的方法:中国,200710120159.7,2007-8-10.
[12]袁方利,黎少华,胡鹏等.一种废弃环氧电路板上金属铜箔的剥离方法:中国,200710119948.9,2007-8-3.
[13]袁方利,胡鹏,李晋林等.一种制备纳米氧化锌晶须的方法:中国,200610112739.7,2006-8-31.
[14]胡鹏,袁方利,黎少华等.一种针状a-Al2O3纳米粉体的制备方法:中国,200510000084.X,2005-1-7.